基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

□ 顾广瑞 李英爱 林景波 李全军 李哲奎 郑伟涛 赵永年 金曾孙

　　摘要：利用射频磁控溅射方法，在n型(100)Si(0．008～0．02 Ω·m)基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明，BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相。在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性，发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大，阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小。基底偏压为—140V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品，阈值电场低于8V／tμm。F～N曲线表明，在外加电场的作用下，电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空。
　　关键词：BN薄膜；场发射；偏压；粗糙度
　　中图分类号：O647．2
　　文献标识码：A
　　文章编号：1671—5489(1005)04—0513—04

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摘自：吉林大学学报(理学版)　　

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